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（c）三聚氰胺钝化Cu活性中心，无锡吴区进而抑制成核密度过程的示意图。 【小结】总之，高新本文综述和讨论了二维单晶受控生长过程中的四个关键因素。

此外，区新还可将制备好的二维单晶作为衬底，区新通过层间耦合的方法在其表面再次生长二维单晶，从而构建层数、取向可控的多层二维单晶或垂直异质结构。因此，新息技项规研究大尺寸二维单晶的生长，具有十分重要的意义。代信（f）由单核生长的单晶石墨烯光学照片。

因此，术产现阶段，总结已有的研究成果并且对二维单晶生长作出更加系统、深入地理解，可为今后更多二维单晶的可控生长打下基础。现阶段，业第二维单晶生长还具有巨大的研究空间和潜力。

 图四、年专表面调控（a）Cu（111）上生长取向一致的石墨烯晶畴光学图。

（2）多种优异的性质，江苏例如超高的载流子迁移率，界面之间的超快电荷转移等。到目前为止，无锡吴区只有石墨烯与六方氮化硼（hBN）被制备出接近米量级的单晶。

杂相抑制的目标是提高产物的相纯度，高新从而获得更高的单晶质量。（j-l）在局部氟辅助催化作用下，区新一种可能的碳源分解反应路径示意图以及对应的能量曲线。

现阶段，新息技项规在所有二维材料中，只有石墨烯和hBN通过衬底的表面调控生长获得了接近米量级的单晶。代信（n）利用第一性原理DFT计算不同取向hBN生长的能量曲线。